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TT8U1
Measurement circuits
Pulse width
Data Sheet
V GS
I D
R L
V DS
V GS
10%
50%
90%
50%
D.U.T.
10%
10%
R G
V DD
V DS
t d(on)
90%
t r
t d(off)
90%
t f
t on
t off
Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit
Fig.1-2 Switching Waveforms
V G
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Q g
I G(Const.)
R G
D.U.T.
V DD
Q gs
Q gd
Charge
Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.2-2 Gate Charge Waveform
Notice
1. SBD has a large reverse leak current compared to other type of diode. Therefore ; it would raise a junction temperature, and
increase a reverse power loss. Further rise of inside temperature would cause a thermal runaway.
This built-in SBD has low VF characteristics and therefore, higher leak current. Please consider enough the surrounding
temperature, generating heat of MOSFET and the reverse current.
2. This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment. Please consider to design ESD
protection circuit.
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
5/5
2009.06 - Rev.A
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